2023-04-06
Silisyum karbür (SiC), silikon gibi geleneksel yarı iletken malzemelere göre birçok avantajı nedeniyle son yıllarda popülerlik kazanan bir bileşik yarı iletkendir. SiC, 200'den fazla kristal türüne sahiptir ve örneğin ana akım 4H-SiC, 3.2eV'lik yasak bir bant genişliğine sahiptir. Doygunluk elektron hareketliliği, arızalı elektrik alan kuvveti ve termal iletkenliği, yüksek voltaj direnci, yüksek sıcaklık direnci ve düşük kayıp gibi üstün özelliklere sahip olan geleneksel silikon bazlı yarı iletkenlerden daha iyidir.
|
Si |
GaAs |
SiC |
GaN |
Bant Genişliği(eV) |
1.12 |
1.43 |
3.2 |
3.4 |
Doymuş Sürüklenme Hızı (107cm/sn) |
1.0 |
1.0 |
2.0 |
2.5 |
Termal İletkenlik (W·cm-1·K-1) |
1.5 |
0.54 |
4.0 |
1.3 |
Kırılma Mukavemeti (MV/cm) |
0.3 |
0.4 |
3.5 |
3.3 |
Silisyum karbürün birincil avantajlarından biri, ısıyı geleneksel yarı iletken malzemelere göre daha etkili bir şekilde dağıtmasına izin veren yüksek termal iletkenliğidir. Bu, onu, aşırı ısının performans sorunlarına ve hatta arızaya neden olabileceği güç elektroniği gibi yüksek sıcaklık uygulamalarında kullanım için ideal bir malzeme yapar.
Silisyum karbürün diğer bir avantajı, geleneksel yarı iletken malzemelere göre daha yüksek voltajları ve güç yoğunluklarını işlemesine izin veren yüksek kırılma voltajıdır. Bu, DC gücü AC güce dönüştüren invertörler gibi güç elektroniği uygulamalarında ve motor kontrol uygulamalarında özellikle kullanışlıdır.
Silisyum karbür ayrıca geleneksel yarı iletkenlerden daha yüksek bir elektron hareketliliğine sahiptir, bu da elektronların malzeme içinde daha hızlı hareket edebildiği anlamına gelir. Bu özellik, onu RF amplifikatörleri ve mikrodalga cihazları gibi yüksek frekanslı uygulamalar için çok uygun hale getirir.
Son olarak, silisyum karbür, geleneksel yarı iletkenlerden daha geniş bir bant aralığına sahiptir; bu, termal bozulma olmadan daha yüksek sıcaklıklarda çalışabileceği anlamına gelir. Bu, onu havacılık ve uzay ve otomotiv elektroniği gibi yüksek sıcaklıklı uygulamalarda kullanım için ideal hale getirir.
Sonuç olarak, silisyum karbür, geleneksel yarı iletken malzemelere göre birçok avantajı olan bir bileşik yarı iletkendir. Yüksek termal iletkenliği, yüksek kırılma voltajı, yüksek elektron hareketliliği ve daha geniş bant aralığı, onu özellikle yüksek sıcaklık, yüksek güç ve yüksek frekans uygulamaları olmak üzere çok çeşitli elektronik uygulamalar için çok uygun hale getirir. Teknoloji ilerlemeye devam ettikçe, silisyum karbür kullanımının yalnızca yarı iletken endüstrisinde öneminin artmaya devam etmesi muhtemeldir.