Epitaksi Gofret Taşıyıcı

Başvuruİkramlar:Semicorex tarafından geliştirilen Epitaxy Wafer Taşıyıcı, çeşitli ileri yarı iletken üretim süreçlerinde kullanılmak üzere özel olarak tasarlanmıştır. Bu taşıyıcılar aşağıdaki gibi ortamlar için oldukça uygundur:

Plazmayla Geliştirilmiş Kimyasal Buhar Biriktirme (PECVD):PECVD proseslerinde Epitaksi Gofret Taşıyıcısı, ince film biriktirme prosesi sırasında alt tabakaların taşınması ve tutarlı kalite ve tekdüzeliğin sağlanması için gereklidir.

Silikon ve SiC Epitaksi:Yüksek kaliteli kristal yapılar oluşturmak için alt tabakalar üzerine ince katmanların yerleştirildiği silikon ve SiC epitaksi uygulamaları için Epitaksi Gofret Taşıyıcı, aşırı termal koşullar altında stabiliteyi korur.

Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) Üniteleri:LED'ler ve güç elektroniği gibi bileşik yarı iletken cihazların imalatında kullanılan MOCVD üniteleri, prosesin doğasında olan yüksek sıcaklıklara ve agresif kimyasal ortamlara dayanabilecek taşıyıcılar gerektirir.

Avantajları:

Yüksek Sıcaklıklarda Kararlı ve Düzgün Performans:

İzotropik grafit ve silisyum karbür (SiC) kaplamanın kombinasyonu, yüksek sıcaklıklarda olağanüstü termal stabilite ve homojenlik sağlar. İzotropik grafit her yönde tutarlı özellikler sunar; bu da termal stres altında kullanılan Epitaksi Gofret Taşıyıcıda güvenilir performans sağlamak için çok önemlidir. SiC kaplama, düzgün termal dağılımın korunmasına, sıcak noktaların önlenmesine ve taşıyıcının uzun süreler boyunca güvenilir performans göstermesinin sağlanmasına katkıda bulunur.

Geliştirilmiş Korozyon Direnci ve Uzatılmış Bileşen Ömrü:

Kübik kristal yapısıyla SiC kaplama, yüksek yoğunluklu bir kaplama katmanı sağlar. Bu yapı, Epitaksi Gofret Taşıyıcısının PECVD, epitaksi ve MOCVD proseslerinde tipik olarak karşılaşılan aşındırıcı gazlara ve kimyasallara karşı direncini önemli ölçüde artırır. Yoğun SiC kaplama, alttaki grafit alt tabakayı bozulmaya karşı koruyarak taşıyıcının hizmet ömrünü uzatır ve değiştirme sıklığını azaltır.

Optimum Kaplama Kalınlığı ve Kapsama Alanı:

Semicorex, 80 ila 100 µm arasında standart SiC kaplama kalınlığı sağlayan bir kaplama teknolojisi kullanır. Bu kalınlık, mekanik koruma ve termal iletkenlik arasında bir denge sağlamak için idealdir. Teknoloji, karmaşık geometrilere sahip olanlar da dahil olmak üzere açıkta kalan tüm alanların eşit şekilde kaplanmasını ve küçük, karmaşık özelliklerde bile yoğun ve sürekli bir koruyucu tabakanın korunmasını sağlar.

Üstün Yapışma ve Korozyon Koruması:

Epitaxy Gofret Taşıyıcı, SiC kaplamalı grafitin üst katmanına sızarak, alt tabaka ile kaplama arasında olağanüstü bir yapışma sağlar. Bu yöntem sadece kaplamanın mekanik stres altında bozulmadan kalmasını sağlamakla kalmaz, aynı zamanda korozyona karşı korumayı da arttırır. Sıkıca bağlanmış SiC tabakası bir bariyer görevi görerek reaktif gazların ve kimyasalların grafit çekirdeğe ulaşmasını önler, böylece zorlu işleme koşullarına uzun süre maruz kaldığında taşıyıcının yapısal bütünlüğünü korur.

Karmaşık Geometrileri Kaplama Yeteneği:

Semicorex tarafından kullanılan gelişmiş kaplama teknolojisi, SiC kaplamanın, çapı 1 mm kadar küçük ve derinliği 5 mm'yi aşan küçük kör delikler gibi karmaşık geometriler üzerine eşit şekilde uygulanmasına olanak tanır. Bu yetenek, geleneksel olarak kaplamanın zor olduğu alanlarda bile Epitaksi Wafer Taşıyıcının kapsamlı korumasını sağlamak ve böylece lokal korozyon ve bozulmayı önlemek için kritik öneme sahiptir.

Yüksek Saflıkta ve İyi Tanımlanmış SiC Kaplama Arayüzü:

Silikon, safir, silikon karbür (SiC), galyum nitrür (GaN) ve diğer malzemelerden yapılmış levhaların işlenmesi için SiC kaplama arayüzünün yüksek saflığı önemli bir avantajdır. Epitaxy Gofret Taşıyıcının bu yüksek saflıkta kaplaması kirlenmeyi önler ve yüksek sıcaklıkta işleme sırasında gofretlerin bütünlüğünü korur. İyi tanımlanmış arayüz, termal iletkenliğin maksimuma çıkarılmasını sağlar ve herhangi bir önemli termal bariyer olmadan kaplama boyunca verimli ısı transferine olanak tanır.

Difüzyon Bariyeri Olarak İşlev:

Epitaksi Gofret Taşıyıcının SiC kaplaması aynı zamanda etkili bir difüzyon bariyeri görevi de görür. Alttaki grafit malzemeden yabancı maddelerin emilmesini ve desorpsiyonunu önler, böylece temiz bir işleme ortamı sağlar. Bu, özellikle çok küçük düzeydeki yabancı maddelerin bile nihai ürünün elektriksel özelliklerini önemli ölçüde etkileyebildiği yarı iletken üretiminde önemlidir.