LPE Yarım Ay Reaksiyon Odası

Epitaksiyel işlem, alt tabakaların yüksek sıcaklıklar ve aşındırıcı gazlar içeren aşırı koşullara maruz kaldığı LPE Yarım Ay Reaksiyon Odasında meydana gelir. Reaksiyon odası bileşenlerinin uzun ömürlülüğünü ve performansını sağlamak için Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) SiC kaplamalar uygulanır:

Detaylı Başvurular:

Süseptörler ve Gofret Taşıyıcılar:

Birincil Rol:

Süseptörler ve levha taşıyıcılar, LPE Halfmoon Reaksiyon Odasındaki epitaksiyel büyüme süreci sırasında substratları güvenli bir şekilde tutan kritik bileşenlerdir. Substratların eşit şekilde ısıtılmasını ve reaktif gazlara maruz kalmasını sağlamada çok önemli bir rol oynarlar.

CVD SiC Kaplamanın Faydaları:

Isı İletkenliği:

SiC kaplama, tutucunun termal iletkenliğini artırarak ısının levha yüzeyi boyunca eşit şekilde dağıtılmasını sağlar. Bu tekdüzelik tutarlı epitaksiyel büyüme elde etmek için gereklidir.

Korozyon Direnci:

SiC kaplama, duyargayı CVD prosesinde kullanılan hidrojen ve klorlu bileşikler gibi aşındırıcı gazlardan korur. Bu koruma, suseptör ömrünü uzatır ve LPE Halfmoon Reaksiyon Odasındaki epitaksiyel sürecin bütünlüğünü korur.

Reaksiyon Odası Duvarları:

Birincil Rol:

Reaksiyon odasının duvarları reaktif ortamı içerir ve LPE Halfmoon Reaksiyon Odasındaki epitaksiyel büyüme süreci sırasında yüksek sıcaklıklara ve aşındırıcı gazlara maruz kalır.

CVD SiC Kaplamanın Faydaları:

Dayanıklılık:

LPE Halfmoon Reaksiyon Odasının SiC kaplaması, oda duvarlarının dayanıklılığını önemli ölçüde artırarak onları korozyona ve fiziksel aşınmaya karşı korur. Bu dayanıklılık, bakım ve değiştirme sıklığını azaltarak işletme maliyetlerini düşürür.

Kontaminasyonun Önlenmesi:

SiC kaplama, bölme duvarlarının bütünlüğünü koruyarak, bozulan malzemelerden kaynaklanan kirlenme riskini en aza indirerek temiz bir işleme ortamı sağlar.

Temel Faydalar:

Geliştirilmiş Verim:

LPE Halfmoon Reaksiyon Odası, plakaların yapısal bütünlüğünü koruyarak daha yüksek verim oranlarını destekleyerek yarı iletken üretim sürecini daha verimli ve uygun maliyetli hale getirir.

Yapısal Sağlamlık:

LPE Halfmoon Reaksiyon Odasının SiC kaplaması, grafit alt katmanın mekanik gücünü önemli ölçüde artırarak levha taşıyıcılarını daha sağlam ve tekrarlanan termal döngünün mekanik streslerine dayanabilecek hale getirir.

Uzun ömür:

Artan mekanik dayanıklılık, LPE Halfmoon Reaksiyon Odasının genel ömrüne katkıda bulunarak sık sık değiştirme ihtiyacını azaltır ve işletme maliyetlerini daha da düşürür.

Geliştirilmiş Yüzey Kalitesi:

SiC kaplama, çıplak grafit ile karşılaştırıldığında daha pürüzsüz bir yüzey sağlar. Bu pürüzsüz yüzey, temiz bir işleme ortamı sağlamak için çok önemli olan parçacık oluşumunu en aza indirir.

Kirlenmenin Azaltılması:

Daha pürüzsüz bir yüzey, levha üzerindeki kirlenme riskini azaltır, yarı iletken katmanların saflığını sağlar ve son cihazların genel kalitesini artırır.

Temiz İşleme Ortamı:

Semicorex LPE Halfmoon Reaksiyon Odası, kaplanmamış grafitten önemli ölçüde daha az parçacık üretir; bu, yarı iletken üretiminde kirlenmeden uzak bir ortamın sürdürülmesi için gereklidir.

Daha Yüksek Verim Oranları:

Parçacık kirliliğinin azalması, daha az kusura ve daha yüksek verim oranlarına yol açar; bunlar, son derece rekabetçi yarı iletken endüstrisinde kritik faktörlerdir.