Galyum Oksit Gofret Uygulamaları

Galyum oksit(Ga₂O₃), özellikle güç cihazları ve radyo frekansı (RF) cihazlarında olmak üzere çeşitli uygulamalar için umut verici bir malzeme olarak ortaya çıkmıştır. Bu makalede, temel fırsatları ve hedef pazarları araştırıyoruz.galyum oksitbu alanlarda.

Güç Cihazları

1. Dört Büyük FırsatGalyum OksitGüç Cihazlarında

A. Bipolar'ın Tek Kutuplu Değişimi:Galyum oksitIGBT'lerin yerini alan MOSFET'ler gibi geleneksel iki kutuplu cihazların yerini alacak şekilde konumlandırılmıştır. Yeni enerji araçları, şarj istasyonları, ultra yüksek voltaj uygulamaları, hızlı şarj, endüstriyel güç kaynakları ve motor kontrolü gibi pazarlarda silikon bazlı IGBT'lerin aşamalı olarak kullanımdan kaldırılması kaçınılmazdır. Galyum oksit, silisyum karbür (SiC) ve GaN ile birlikte rekabetçi bir malzeme olarak duruyor.

B. Gelişmiş Enerji Verimliliği:Galyum oksitGüç cihazları, karbon nötrlüğü ve en yüksek karbon emisyonlarının azaltılmasına yönelik küresel stratejilerle uyumlu olarak daha düşük enerji tüketimi sergiliyor.

C. Ölçeklenebilir Seri Üretim: Çapını arttırma kolaylığıgalyum oksitBasitleştirilmiş üretim süreçleri ve maliyet etkinliği ile birleşen gofretler, onu büyük ölçekli üretim için avantajlı bir konuma getiriyor.

D. Yüksek Güvenilirlik Gereksinimleri: Kararlı malzeme özellikleri ve güvenilir yapılarla,galyum oksitgüç cihazları, yüksek kaliteli alt tabakalar/epitaksiyel katmanlar için katı talepleri karşılar.

2. Hedef PazarlarGalyum OksitGüç Cihazları

A. Uzun Vadeli Görünüm:Galyum oksitgüç cihazlarının 2025-2030 yılına kadar 650V/1200V/1700V/3300V voltaj aralıklarını kapsaması ve otomotiv ve elektrikli ekipman sektörlerine geniş ölçüde nüfuz etmesi bekleniyor. Gelecekteki fırsatlar, yüksek voltajlı güç kaynağı vakum tüplerindeki uygulamalar gibi son derece yüksek voltaj gerektiren özel pazarlarda yatmaktadır.

B. Kısa Vadeli Görünüm: Kısa vadede,galyum oksitgüç cihazlarının, daha düşük giriş engelleri ve maliyet hassasiyeti ile orta ve yüksek gerilim pazarlarında erkenden ortaya çıkması muhtemeldir. Bu, malzemenin yüksek güvenilirliğinden ve performansından yararlanan tüketici elektroniği, ev aletleri ve endüstriyel güç kaynakları gibi sektörleri içerir.

3. Bulunduğu PiyasalarGalyum OksitAvantaj Sağlıyor

Yeni Enerji Araç İçi Şarj Cihazları/İnvertörler/Şarj İstasyonları

DC/DC Dönüştürücüler: 12V/5V→48V Dönüşüm

Hisse Senetleri Piyasasındaki Mevcut IGBT'lerin Değiştirilmesi

RF Cihazları

Galyum Nitrürün (GaN) RF pazarındaki başarısı, malzeme avantajlarından tam olarak yararlanmak için büyük boyutlu, düşük maliyetli alt katmanlara dayanmaktadır. Homojen alt tabakalar en yüksek epitaksiyel katman kalitesini sağlarken, maliyet hususları genellikle LED, tüketici elektroniği ve RF uygulamalarında Si, safir ve SiC gibi nispeten ucuz alt tabakaların kullanılmasına yol açmaktadır. Bununla birlikte, bu substratlar ve GaN arasındaki kafes uyumsuzluğu epitaksiyel kaliteyi tehlikeye atabilir.

GaN ve GaN arasında yalnızca %2,6'lık bir kafes uyumsuzluğu vargalyum oksit, kullanarakgalyum oksitGaN büyümesi için substratlar, yüksek kaliteli epitaksiyel katmanlarla sonuçlanır. Üstelik, pahalı iridyum bazlı yöntemler kullanmadan 6 inçlik galyum oksit plakaları yetiştirmenin maliyeti silikonla karşılaştırılabilir düzeydedir ve bu da galyum oksidi GaN RF cihazları gibi kritik uygulamalar için umut verici bir aday haline getirir.

Sonuç olarak,galyum oksitçok yönlülüğü, onu hem güç hem de RF cihazlarında, çeşitli pazarlarda ve uygulamalarda önemli bir potansiyele sahip önemli bir oyuncu olarak konumlandırıyor. Teknoloji ilerlemeye devam ettikçe,galyum oksitbu sektörlerin geleceğini şekillendirmede önemli bir rol oynaması bekleniyor.