MOCVD Epitaksi Reseptörü

Semicorex MOCVD Epitaksi Süseptör, Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) epitaksisinde kritik bir bileşen olarak ortaya çıktı ve yüksek performanslı yarı iletken cihazların olağanüstü verimlilik ve hassasiyetle üretilmesini sağladı. Malzeme özelliklerinin benzersiz kombinasyonu, onu bileşik yarı iletkenlerin epitaksiyel büyümesi sırasında karşılaşılan zorlu termal ve kimyasal ortamlara mükemmel şekilde uygun hale getirir.**

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

Zorlu Epitaksi Uygulamalarının Avantajları:

Ultra Yüksek Saflık:The MOCVD Epitaksi Süseptör, ultra yüksek saflık seviyelerine ulaşmak ve büyüyen epitaksiyel katmanlara istenmeyen yabancı maddelerin karışması riskini en aza indirecek şekilde tasarlanmıştır. Bu olağanüstü saflık, yüksek taşıyıcı hareketliliğini korumak, optimum doping profillerine ulaşmak ve sonuçta yüksek performanslı yarı iletken cihazları gerçekleştirmek için çok önemlidir.

Olağanüstü Termal Şok Direnci:MOCVD Epitaksi Süseptörü, MOCVD prosesinin doğasında olan hızlı sıcaklık değişimlerine ve eğimlere dayanarak termal şoka karşı dikkate değer bir direnç sunar. Bu stabilite, kritik ısıtma ve soğutma aşamaları sırasında tutarlı ve güvenilir performans sağlayarak levha eğilmesi, stres kaynaklı kusurlar ve proses kesintileri riskini en aza indirir.

Üstün Kimyasal Direnç:MOCVD Epitaksi Süseptör, yüksek sıcaklıklarda oluşabilen aşındırıcı yan ürünler de dahil olmak üzere, MOCVD'de kullanılan çok çeşitli reaktif gazlara ve kimyasallara karşı olağanüstü direnç gösterir. Bu eylemsizlik, epitaksiyel katmanların kirlenmesini önler ve istenen elektriksel ve optik özelliklerin elde edilmesi için kritik olan, biriken yarı iletken malzemenin saflığını sağlar.

Comple'da Kullanılabilirlikx Şekiller: MOCVD Epitaksi Süseptör, MOCVD reaktörü içindeki gaz akış dinamiklerini ve sıcaklık homojenliğini optimize etmek için karmaşık şekiller ve geometriler halinde hassas bir şekilde işlenebilir. Bu özelleştirilmiş tasarım yeteneği, alt tabaka levhalarının eşit şekilde ısıtılmasını sağlayarak tutarsız epitaksiyel büyümeye ve cihaz performansına yol açabilecek sıcaklık değişimlerini en aza indirir.