Endüstri Haberleri

Neden SiC kaplı grafit duyarlıları seçmelisiniz?

Grafit duyarlı, MOCVD ekipmanındaki temel parçalardan biridir, gofret substratının taşıyıcısı ve ısıtıcısıdır. Termal kararlılık ve termal tekdüzelik özellikleri, katman malzemelerinin tekdüzeliğini ve saflığını doğrudan belirleyen gofret epitaksiyel büyümesinin kalitesinde belirleyici bir rol oynar......

SiC epitaksiyel süreci nedir?

Yüksek voltaj alanında, özellikle 20.000V'un üzerindeki yüksek voltajlı cihazlar için, SiC epitaksiyel teknolojisi hala çeşitli zorluklarla karşı karşıyadır. Ana zorluklardan biri, epitaksiyel tabakada yüksek üniformite, kalınlık ve doping konsantrasyonu elde etmektir. Bu tür yüksek voltajlı cihazla......

SiC kaplı grafit suseptör pazarında önemli büyüme

MOCVD anahtar ekipmandır

Yarı İletken projelerine sağlanan fonlar

Her ülke çiplerin öneminin farkında ve artık başka bir çip kıtlığı sorununu önlemek için kendi çip üretim tedarik zinciri ekosisteminin inşasını hızlandırıyor. Ancak yeni nesil yonga tasarımcıları olmayan gelişmiş dökümhaneler, "Çipsiz Fabrikalar" ile aynı olacaktır.

TSMC: Gelecek yıl 2nm proses riski deneme üretimi

TSMC Başkanı Deyin Liu ve CEO Chieh-Jia Wei, yeni yayınladıkları yıllık raporda 2nm süreciyle ilgili ilerlemeyi açıkladı.