Haberler

TSMC: Gelecek yıl 2nm proses riski deneme üretimi

TSMC Başkanı Deyin Liu ve CEO Chieh-Jia Wei, yeni yayınladıkları yıllık raporda 2nm süreciyle ilgili ilerlemeyi açıkladı.

Epitaksiyel Katmanlar İçin Uygulama Senaryoları

Cihaz üretimi için bazı gofret alt tabakalarının üzerine başka epitaksiyel katmanların inşa edilmesi gerektiğini biliyoruz, tipik olarak silikon alt tabakaların üzerinde GaAs epitaksiyel katmanları gerektiren LED ışık yayan cihazlar; SiC epitaksiyel katmanları, yüksek voltaj, yüksek akım ve diğer gü......

CVD fırını tartışılıyor

Çin, en büyük yarı iletken ekipman pazarı olmaya devam etti

Küresel elektronik tasarım ve üretim tedarik zincirini temsil eden sektör derneği SEMI'ye göre, dünya çapındaki yarı iletken üretim ekipmanı satışları, 2021'deki 102,6 milyar dolardan geçen yıl tüm zamanların rekoru olan 107,6 milyar dolara yükseldi.

SiC gofret epitaksisi için CVD işlemi

SiC gofret epitaksisi için CVD işlemi, SiC filmlerinin bir gaz fazı reaksiyonu kullanılarak bir SiC substratı üzerine biriktirilmesini içerir. Tipik olarak metiltriklorosilan (MTS) ve etilen (C2H4) olan SiC öncü gazları, kontrollü bir hidrojen (H2) atmosferi altında SiC substratının yüksek bir sıcak......

Japonya kısa süre önce 23 tür yarı iletken imalat ekipmanının ihracatını kısıtladı

Japonya kısa bir süre önce 23 tür yarı iletken imalat ekipmanının ihracatını kısıtladı. Hareketin yarı iletken üretimi için küresel tedarik zincirleri üzerinde önemli bir etkiye sahip olması beklendiğinden, duyuru sektör genelinde dalgalanmalara yol açtı.