- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Endüstri Haberleri
Silisyum Karbür (SiC) Güç Cihazı Pazarının Yükselişi ve Görünümü
Elektrikli araçların küresel kabulü giderek arttıkça, Silisyum Karbür (SiC) önümüzdeki on yılda yeni büyüme fırsatlarıyla karşılaşacak. Otomotiv endüstrisindeki güç yarı iletken üreticilerinin ve operatörlerin bu sektörün değer zincirinin inşasına daha aktif katılmaları öngörülüyor.
Devamını oku
EV endüstrisinde SiC'nin avantajları
Geniş bant aralıklı (WBG) bir yarı iletken malzeme olarak SiC'nin daha geniş enerji farkı, ona geleneksel Si'ye kıyasla daha yüksek termal ve elektronik özellikler kazandırır. Bu özellik, güç cihazlarının daha yüksek sıcaklık, frekans ve voltajlarda çalışmasını sağlar.
Devamını oku
Süblimasyon SiC Büyümesinde Doping Kontrolü
Silisyum karbür (SiC), mükemmel elektriksel ve termal özellikleri nedeniyle güç elektroniği ve yüksek frekanslı cihazların üretiminde önemli bir rol oynar. SiC kristallerinin kalitesi ve doping seviyesi cihazın performansını doğrudan etkiler; bu nedenle dopingin hassas kontrolü, SiC büyüme sürecinde......
Devamını oku
TaC Kaplamalı Grafit Bileşenlerin Uygulamaları
SiC ve AlN tek kristallerinin fiziksel buhar taşıma yöntemi (PVT) ile büyütülmesi sürecinde, pota, tohum kristal tutucusu ve kılavuz halka gibi bileşenler hayati bir rol oynar. SiC'nin hazırlanma işlemi sırasında, tohum kristali nispeten düşük sıcaklık bölgesinde bulunurken, ham madde 2400°C'yi aşan......
Devamını oku
Yüzey Kesme ve Taşlama Prosesi
SiC substrat malzemesi SiC çipinin çekirdeğidir. Substratın üretim süreci şu şekildedir: tek kristal büyütme yoluyla SiC kristal külçesinin elde edilmesinden sonra; daha sonra SiC substratının hazırlanması, düzleştirme, yuvarlama, kesme, taşlama (inceltme) gerektirir; mekanik parlatma, kimyasal meka......
Devamını oku
