> Haberler > Endüstri Haberleri

Endüstri Haberleri

Tavlama

İyon implantasyonundan sonra tavlama, yarı iletken cihaz imalatında cihazın performansını ve güvenilirliğini etkileyen önemli bir adımdır.

Devamını oku

PVT yöntemiyle AlN kristal büyümesi

Galyum nitrür (GaN), silisyum karbür (SiC) ve alüminyum nitrür (AlN) dahil olmak üzere üçüncü nesil geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeler mükemmel elektriksel, termal ve akustik-optik özellikler sergiler. Bu malzemeler, birinci ve ikinci nesil yarı iletken malzemelerin sınırlamalarını ele alar......

Devamını oku

SiGe ve Si Seçici Aşındırma Teknolojisi

N-tipi GAAFET'lerin imalatındaki kritik bir adım, iç aralayıcıların biriktirilmesinden önce SiGe:Si yığınlarının yüksek seçicilikle aşındırılmasını, silikon nano tabakaların üretilmesini ve kanalların serbest bırakılmasını içerir.

Devamını oku

Talaş Üretiminde SiGe: Profesyonel Bir Haber Raporu

Modern yarı iletken teknolojisi alanında yüksek performans ve düşük güç tüketimi taleplerini karşılamak için SiGe (Silikon Germanium), benzersiz fiziksel ve elektriksel özellikleri nedeniyle yarı iletken yonga üretiminde tercih edilen kompozit malzeme olarak ortaya çıkmıştır.

Devamını oku

Yarı iletkendeki birim: Angstrom

Bir uzunluk birimi olarak Angstrom (Å), entegre devre üretiminde her yerde bulunur. Malzeme kalınlığının hassas kontrolünden minyatürleştirmeye ve cihaz boyutunun optimizasyonuna kadar Angstrom ölçeğinin anlaşılması ve uygulanması, yarı iletken teknolojisinin sürekli gelişimini sağlamanın temelidir.

Devamını oku

Yaklaşık 840 Milyon Dolar: Onsemi bir SiC Şirketini Satın Aldı

Onsemi bugün resmi web sitesinde, SiC JFET teknoloji işletmesini ve Qorvo'nun yan kuruluşunu satın almak için Qorvo ile anlaşmaya vardığını duyurdu.

Devamını oku

<...3 4 5 6 7...29 >