Silisyum karbür (SiC), mükemmel elektriksel ve termal özellikleri nedeniyle güç elektroniği ve yüksek frekanslı cihazların üretiminde önemli bir rol oynar. SiC kristallerinin kalitesi ve doping seviyesi cihazın performansını doğrudan etkiler; bu nedenle dopingin hassas kontrolü, SiC büyüme sürecinde......
Devamını okuSiC ve AlN tek kristallerinin fiziksel buhar taşıma yöntemi (PVT) ile büyütülmesi sürecinde, pota, tohum kristal tutucusu ve kılavuz halka gibi bileşenler hayati bir rol oynar. SiC'nin hazırlanma işlemi sırasında, tohum kristali nispeten düşük sıcaklık bölgesinde bulunurken, ham madde 2400°C'yi aşan......
Devamını okuSiC substrat malzemesi SiC çipinin çekirdeğidir. Substratın üretim süreci şu şekildedir: tek kristal büyütme yoluyla SiC kristal külçesinin elde edilmesinden sonra; daha sonra SiC substratının hazırlanması, düzleştirme, yuvarlama, kesme, taşlama (inceltme) gerektirir; mekanik parlatma, kimyasal meka......
Devamını okuSilisyum karbür (SiC), olağanüstü termal, fiziksel ve kimyasal stabiliteye sahip, geleneksel malzemelerin ötesine geçen özellikler sergileyen bir malzemedir. Isı iletkenliği şaşırtıcı bir değer olan 84W/(m·K)'dir; bu sadece bakırdan değil, aynı zamanda silikonunkinden de üç kat daha yüksektir. Bu, t......
Devamını okuHızla gelişen yarı iletken üretim alanında, optimum performans, dayanıklılık ve verimliliğe ulaşma konusunda en küçük iyileştirmeler bile büyük fark yaratabilir. Endüstride çok fazla ses getiren gelişmelerden biri de grafit yüzeylerde TaC (Tantal Karbür) kaplamanın kullanılmasıdır. Peki TaC kaplama ......
Devamını oku