Yarı iletken endüstrisinde, epitaksiyel tabakalar, topluca epitaksiyel levhalar olarak bilinen bir levha substratının üzerinde spesifik tek kristalli ince filmler oluşturarak çok önemli bir rol oynar. Özellikle, iletken SiC substratları üzerinde büyütülen silikon karbür (SiC) epitaksiyel tabakalar, ......
Devamını okuEpitaksiyel büyüme, bir substrat üzerinde kristalografik olarak iyi düzenlenmiş bir monokristalin katmanın büyütülmesi sürecini ifade eder. Genel olarak konuşursak, epitaksiyel büyüme, tek kristalli bir substrat üzerinde bir kristal katmanın yetiştirilmesini içerir; büyütülmüş katman, orijinal subst......
Devamını okuElektrikli araçların küresel kabulü giderek arttıkça, Silisyum Karbür (SiC) önümüzdeki on yılda yeni büyüme fırsatlarıyla karşılaşacak. Otomotiv endüstrisindeki güç yarı iletken üreticilerinin ve operatörlerin bu sektörün değer zincirinin inşasına daha aktif katılmaları öngörülüyor.
Devamını okuGeniş bant aralıklı (WBG) bir yarı iletken malzeme olarak SiC'nin daha geniş enerji farkı, ona geleneksel Si'ye kıyasla daha yüksek termal ve elektronik özellikler kazandırır. Bu özellik, güç cihazlarının daha yüksek sıcaklık, frekans ve voltajlarda çalışmasını sağlar.
Devamını oku