Son zamanlarda Infineon Technologies, dünyanın ilk 300 mm güçlü Galyum Nitrür (GaN) levha teknolojisinin başarılı bir şekilde geliştirildiğini duyurdu.
Monokristalin silikon üretiminde kullanılan üç ana yöntem Czochralski (CZ) yöntemi, Kyropoulos yöntemi ve Float Zone (FZ) yöntemidir.
Oksidasyon işlemleri, levha üzerinde farklı kimyasallar arasında bariyer görevi gören, oksit tabakası olarak bilinen koruyucu bir tabaka oluşturarak bu tür sorunların önlenmesinde kritik bir rol oynar.
Silisyum nitrür (Si3N4), gelişmiş yüksek sıcaklık yapısal seramiklerinin geliştirilmesinde önemli bir malzemedir.
Aşındırma İşlemi: Silisyum ve Silisyum Karbür
Yarı iletken üretiminde dağlama işleminin hassasiyeti ve stabilitesi çok önemlidir. Yüksek kaliteli gravür elde etmede kritik faktörlerden biri, işlem sırasında plakaların tepsi üzerinde mükemmel şekilde düz durmasını sağlamaktır.