- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Haberler
Optik Fiber Endüstrisinde Silisyum Karbür Seramiklerin Avantajları
Silisyum karbür seramikler, optik fiber endüstrisinde yüksek sıcaklık stabilitesi, düşük termal genleşme katsayısı, düşük kayıp ve hasar eşiği, mekanik mukavemet, korozyon direnci, iyi termal iletkenlik ve düşük dielektrik sabiti dahil olmak üzere çok sayıda avantaj sunar. Bu özellikler SiC seramikl......
Devamını oku
Silisyum Karbür Güç Cihazlarına Giriş
Silisyum karbür (SiC) güç cihazları, çoğunlukla yüksek frekans, yüksek sıcaklık, yüksek voltaj ve yüksek güçlü elektronik uygulamalarda kullanılan, silisyum karbür malzemelerden yapılmış yarı iletken cihazlardır. Geleneksel silikon (Si) bazlı güç cihazlarıyla karşılaştırıldığında, silisyum karbür gü......
Devamını oku
Silisyum Karbürün Kısa Tarihi ve Silisyum Karbür Kaplamaların Uygulamaları
Silisyum karbürün (SiC) tarihi, Edward Goodrich Acheson'un yapay elmasları sentezlemeye çalışırken kazara keşfettiği 1891 yılına kadar uzanır. Acheson kil (alüminosilikat) ve toz kok (karbon) karışımını elektrikli bir fırında ısıttı. Beklenen elmasların yerine karbona yapışan parlak yeşil bir krista......
Devamını oku
GaN hazırlamadaki zorluklar
Üçüncü nesil bir yarı iletken malzeme olarak Galyum Nitrür sıklıkla Silisyum Karbür ile karşılaştırılır. Galyum Nitrür, geniş bant aralığı, yüksek arıza voltajı, yüksek termal iletkenliği, yüksek doymuş elektron sürüklenme hızı ve güçlü radyasyon direnci ile hala üstünlüğünü göstermektedir. Ancak Si......
Devamını oku
Üçüncü Nesil Yarı İletkenlere Giriş: GaN ve İlgili Epitaksiyel Teknolojiler
GaN malzemeleri, mavi LED'lere 2014 Nobel Fizik Ödülü'nün verilmesinin ardından önem kazandı. Başlangıçta tüketici elektroniğindeki hızlı şarj uygulamaları aracılığıyla kamuoyunun gözüne çarpan GaN tabanlı güç amplifikatörleri ve RF cihazları da 5G baz istasyonlarında sessizce kritik bileşenler olar......
Devamını oku
