> Haberler

Haberler

Silikon Gofret

Silikon malzeme, belirli yarı iletken elektriksel özelliklere ve fiziksel stabiliteye sahip katı bir malzemedir ve sonraki entegre devre üretim süreci için alt tabaka desteği sağlar. Silikon bazlı entegre devreler için önemli bir malzemedir. Dünyadaki yarı iletken cihazların %95'inden fazlası ve ent......

Devamını oku

SiC Tekneler ve Kuvars Tekneler Karşılaştırması: Yarı İletken Üretiminde Güncel Kullanım ve Gelecekteki Eğilimler

Bu makale, özellikle güneş pili imalatındaki uygulamalarına odaklanarak, yarı iletken endüstrisindeki kuvars teknelerle ilişkili olarak silisyum karbür (SiC) teknelerin kullanımını ve gelecekteki gidişatını ele alıyor.

Devamını oku

SiC Kesim

Silisyum karbür (SiC), mükemmel fiziksel ve kimyasal özellikleri nedeniyle yarı iletken endüstrisinde oldukça tercih edilmektedir. Ancak SiC'nin yüksek sertliği ve kırılganlığı, işlenmesinde önemli zorluklar yaratmaktadır.

Devamını oku

Galyum Nitrür Epitaksiyel Gofretler: İmalat Sürecine Giriş

Galyum Nitrür (GaN) epitaksiyel levha büyümesi, genellikle iki aşamalı bir yöntemin kullanıldığı karmaşık bir süreçtir. Bu yöntem, yüksek sıcaklıkta pişirme, tampon tabaka büyümesi, yeniden kristalleşme ve tavlama dahil olmak üzere birkaç kritik aşamayı içerir. Bu aşamalar boyunca sıcaklığı titizlik......

Devamını oku

Epitaksiyel ve Dağınık Gofretler Arasındaki Fark Nedir?

Hem epitaksiyel hem de dağınık plakalar yarı iletken üretiminde temel malzemelerdir, ancak üretim süreçleri ve hedef uygulamalar açısından önemli ölçüde farklılık gösterirler. Bu makale, bu gofret türleri arasındaki temel ayrımları ele almaktadır.

Devamını oku

Silisyum Karbür Substrat Çekirdek Proses Akışı

Silisyum karbür substrat, karbon ve silikon olmak üzere iki elementten oluşan bileşik yarı iletken tek kristal malzemedir. Geniş bant aralığı, yüksek termal iletkenlik, yüksek kritik bozulma alanı kuvveti ve yüksek elektron doygunluğu sürüklenme hızı özelliklerine sahiptir.

Devamını oku

<...8 9 10 11 12...30 >