- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Haberler
3C-SiC'nin Heteroepitaksisi: Genel Bir Bakış
Silisyum karbürün önemli bir politipi olan 3C-SiC'nin gelişimi, yarı iletken malzeme biliminin sürekli ilerlemesini yansıtmaktadır. 1980'lerde Nishino ve ark. ilk olarak kimyasal buhar biriktirme (CVD)[1] kullanarak silikon bir substrat üzerinde 4 μm kalınlığında 3C-SiC film elde ederek 3C-SiC ince ......
Devamını oku
Yüksek Saflıkta CVD Kalın SiC: Malzeme Büyümesine Yönelik Süreç İçgörüleri
Tipik olarak 1 mm'yi aşan kalın, yüksek saflıkta silisyum karbür (SiC) katmanları, yarı iletken üretimi ve havacılık teknolojileri dahil olmak üzere çeşitli yüksek değerli uygulamalarda kritik bileşenlerdir. Bu makalede, bu tür katmanların üretilmesi için Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) süreci ele a......
Devamını oku
Monokristalin silikon ve polikristalin silikon
Tek kristalli silikon ve polikristalin silikonun her birinin kendine özgü avantajları ve uygulanabilir senaryoları vardır. Tek kristal silikon, mükemmel elektriksel ve mekanik özelliklerinden dolayı yüksek performanslı elektronik ürünler ve mikroelektronik için uygundur. Polikristalin silikon ise dü......
Devamını oku
Substrat ve Epitaksi
Gofret hazırlama sürecinde iki temel bağlantı vardır: biri alt tabakanın hazırlanması, diğeri ise epitaksiyel sürecin uygulanmasıdır. Yarı iletken tek kristal malzemeden özenle yapılmış bir levha olan alt tabaka, yarı iletken cihazlar üretmek için bir temel olarak doğrudan levha üretim sürecine yerl......
Devamını oku
Kimyasal Buhar Birikiminin (CVD) Anlaşılması: Kapsamlı Bir Genel Bakış
Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD), çeşitli alt tabakalar üzerinde yüksek kaliteli, uyumlu ince filmler üretmek için yarı iletken endüstrisinde yaygın olarak kullanılan çok yönlü bir ince film biriktirme tekniğidir. Bu işlem, gaz halindeki öncüllerin ısıtılmış bir substrat yüzeyi üzerinde kimyasal reak......
Devamını oku
