- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Haberler
Grafit teknenin temel teknolojisinin tanıtılması
Graphite Boat, performansı, saflığı ve kullanım ömrünü artırmak için tasarlanmış çığır açan bir dizi gelişmeyle sektöründe teknolojik yeniliklerin ön sıralarında yer almaktadır. Aşağıda grafit teknenin mükemmelliğini tanımlayan temel teknolojileri inceliyoruz:
Devamını oku
PVT Yöntemiyle Yüksek Kaliteli SiC Kristal Büyümesi için Gözenekli Grafit
Silisyum Karbür (SiC), yarı iletken teknolojisi alanında, onu çeşitli elektronik ve optoelektronik uygulamalar için oldukça cazip kılan olağanüstü özellikler sunan önemli bir malzeme olarak ortaya çıkmıştır. Yüksek kaliteli SiC tek kristallerinin üretimi, güç elektroniği, LED'ler ve yüksek frekanslı......
Devamını oku
Grafit kalıplamanın 3 yöntemi
Grafit kalıplama için dört ana kalıplama yöntemi şunlardır: ekstrüzyon kalıplama, kalıplama, titreşimli kalıplama ve izostatik kalıplama. Piyasadaki yaygın karbon/grafit malzemelerin çoğu, sıcak ekstrüzyon ve kalıplama (soğuk veya sıcak) yoluyla kalıplanır ve izostatik kalıplama, kalıplama performan......
Devamını oku
İzostatik grafit nedir?
Özel grafit, karbon kütle oranı %99,99'dan fazla olan ve "üç yüksek grafit" (yüksek mukavemet, yüksek yoğunluk, yüksek saflık) olarak da bilinen grafittir. Yüksek mukavemet, yüksek yoğunluk, yüksek saflık, yüksek kimyasal stabilite, yüksek termal ve elektrik iletkenliği, yüksek sıcaklık direnci, rad......
Devamını oku
Fiziksel Buhar Aktarımına (PVT) Giriş
SiC'nin kendi özellikleri, tek kristal büyümesinin daha zor olduğunu belirler. Atmosfer basıncında Si:C=1:1 sıvı fazın bulunmaması nedeniyle, yarı iletken endüstrisinin ana akımı tarafından benimsenen daha olgun büyüme süreci, daha olgun büyüme yöntemi olan düz çekme yöntemini, alçalan potayı büyütm......
Devamını oku
850V Yüksek Güçlü GaN HEMT Epitaksiyel Ürünleri Piyasaya Sürüldü
Kasım 2023'te Semicorex, yüksek voltaj, yüksek akım HEMT güç cihazı uygulamaları için 850V GaN-on-Si epitaksiyel ürünlerini piyasaya sürdü. HMET güç cihazları için diğer alt tabakalarla karşılaştırıldığında GaN-on-Si, daha büyük levha boyutlarına ve daha çeşitli uygulamalara olanak tanır ve aynı zam......
Devamını oku
