- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Haberler
Silisyum Karbürün Kısa Tarihi ve Silisyum Karbür Kaplamaların Uygulamaları
Silisyum karbürün (SiC) tarihi, Edward Goodrich Acheson'un yapay elmasları sentezlemeye çalışırken kazara keşfettiği 1891 yılına kadar uzanır. Acheson kil (alüminosilikat) ve toz kok (karbon) karışımını elektrikli bir fırında ısıttı. Beklenen elmasların yerine karbona yapışan parlak yeşil bir krista......
Devamını oku
GaN hazırlamadaki zorluklar
Üçüncü nesil bir yarı iletken malzeme olarak Galyum Nitrür sıklıkla Silisyum Karbür ile karşılaştırılır. Galyum Nitrür, geniş bant aralığı, yüksek arıza voltajı, yüksek termal iletkenliği, yüksek doymuş elektron sürüklenme hızı ve güçlü radyasyon direnci ile hala üstünlüğünü göstermektedir. Ancak Si......
Devamını oku
Üçüncü Nesil Yarı İletkenlere Giriş: GaN ve İlgili Epitaksiyel Teknolojiler
GaN malzemeleri, mavi LED'lere 2014 Nobel Fizik Ödülü'nün verilmesinin ardından önem kazandı. Başlangıçta tüketici elektroniğindeki hızlı şarj uygulamaları aracılığıyla kamuoyunun gözüne çarpan GaN tabanlı güç amplifikatörleri ve RF cihazları da 5G baz istasyonlarında sessizce kritik bileşenler olar......
Devamını oku
Substrat ve Epitaksi: Yarı İletken Üretiminde Anahtar Roller
Yarı iletken teknolojisi ve mikroelektronik alanlarında, substratlar ve epitaksi kavramları büyük önem taşımaktadır. Yarı iletken cihazların üretim sürecinde kritik roller oynarlar. Bu makale yarı iletken substratlar ve epitaksi arasındaki farkları tanımlarını, işlevlerini, malzeme yapılarını ve uyg......
Devamını oku
Silisyum Karbür (SiC) Yüzeylerin Temel Parametreleri
Silisyum Karbür (SiC) üretim süreci, malzeme tarafından alt tabakanın ve epitaksinin hazırlanmasını, ardından çip tasarımı ve imalatını, cihaz paketlemesini ve son olarak alt uygulama pazarlarına dağıtımını kapsar. Bu aşamalar arasında alt tabaka malzemesi işleme, SiC endüstrisinin en zorlu yönüdür.......
Devamını oku
