Haberler

SiC epitaksiyel süreci nedir?

Yüksek voltaj alanında, özellikle 20.000V'un üzerindeki yüksek voltajlı cihazlar için, SiC epitaksiyel teknolojisi hala çeşitli zorluklarla karşı karşıyadır. Ana zorluklardan biri, epitaksiyel tabakada yüksek üniformite, kalınlık ve doping konsantrasyonu elde etmektir. Bu tür yüksek voltajlı cihazla......

SiC kaplı grafit suseptör pazarında önemli büyüme

MOCVD anahtar ekipmandır

Yarı İletken projelerine sağlanan fonlar

Her ülke çiplerin öneminin farkında ve artık başka bir çip kıtlığı sorununu önlemek için kendi çip üretim tedarik zinciri ekosisteminin inşasını hızlandırıyor. Ancak yeni nesil yonga tasarımcıları olmayan gelişmiş dökümhaneler, "Çipsiz Fabrikalar" ile aynı olacaktır.

TSMC: Gelecek yıl 2nm proses riski deneme üretimi

TSMC Başkanı Deyin Liu ve CEO Chieh-Jia Wei, yeni yayınladıkları yıllık raporda 2nm süreciyle ilgili ilerlemeyi açıkladı.

Epitaksiyel Katmanlar İçin Uygulama Senaryoları

Cihaz üretimi için bazı gofret alt tabakalarının üzerine başka epitaksiyel katmanların inşa edilmesi gerektiğini biliyoruz, tipik olarak silikon alt tabakaların üzerinde GaAs epitaksiyel katmanları gerektiren LED ışık yayan cihazlar; SiC epitaksiyel katmanları, yüksek voltaj, yüksek akım ve diğer gü......