Silisyum karbür (SiC) güç cihazları, çoğunlukla yüksek frekans, yüksek sıcaklık, yüksek voltaj ve yüksek güçlü elektronik uygulamalarda kullanılan, silisyum karbür malzemelerden yapılmış yarı iletken cihazlardır. Geleneksel silikon (Si) bazlı güç cihazlarıyla karşılaştırıldığında, silisyum karbür gü......
Devamını okuSilisyum karbürün (SiC) tarihi, Edward Goodrich Acheson'un yapay elmasları sentezlemeye çalışırken kazara keşfettiği 1891 yılına kadar uzanır. Acheson kil (alüminosilikat) ve toz kok (karbon) karışımını elektrikli bir fırında ısıttı. Beklenen elmasların yerine karbona yapışan parlak yeşil bir krista......
Devamını okuÜçüncü nesil bir yarı iletken malzeme olarak Galyum Nitrür sıklıkla Silisyum Karbür ile karşılaştırılır. Galyum Nitrür, geniş bant aralığı, yüksek arıza voltajı, yüksek termal iletkenliği, yüksek doymuş elektron sürüklenme hızı ve güçlü radyasyon direnci ile hala üstünlüğünü göstermektedir. Ancak Si......
Devamını okuGaN malzemeleri, mavi LED'lere 2014 Nobel Fizik Ödülü'nün verilmesinin ardından önem kazandı. Başlangıçta tüketici elektroniğindeki hızlı şarj uygulamaları aracılığıyla kamuoyunun gözüne çarpan GaN tabanlı güç amplifikatörleri ve RF cihazları da 5G baz istasyonlarında sessizce kritik bileşenler olar......
Devamını okuYarı iletken teknolojisi ve mikroelektronik alanlarında, substratlar ve epitaksi kavramları büyük önem taşımaktadır. Yarı iletken cihazların üretim sürecinde kritik roller oynarlar. Bu makale yarı iletken substratlar ve epitaksi arasındaki farkları tanımlarını, işlevlerini, malzeme yapılarını ve uyg......
Devamını oku