Tipik olarak 1 mm'yi aşan kalın, yüksek saflıkta silisyum karbür (SiC) katmanları, yarı iletken üretimi ve havacılık teknolojileri dahil olmak üzere çeşitli yüksek değerli uygulamalarda kritik bileşenlerdir. Bu makalede, bu tür katmanların üretilmesi için Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) süreci ele a......
Devamını okuTek kristalli silikon ve polikristalin silikonun her birinin kendine özgü avantajları ve uygulanabilir senaryoları vardır. Tek kristal silikon, mükemmel elektriksel ve mekanik özelliklerinden dolayı yüksek performanslı elektronik ürünler ve mikroelektronik için uygundur. Polikristalin silikon ise dü......
Devamını okuGofret hazırlama sürecinde iki temel bağlantı vardır: biri alt tabakanın hazırlanması, diğeri ise epitaksiyel sürecin uygulanmasıdır. Yarı iletken tek kristal malzemeden özenle yapılmış bir levha olan alt tabaka, yarı iletken cihazlar üretmek için bir temel olarak doğrudan levha üretim sürecine yerl......
Devamını okuKimyasal Buhar Biriktirme (CVD), çeşitli alt tabakalar üzerinde yüksek kaliteli, uyumlu ince filmler üretmek için yarı iletken endüstrisinde yaygın olarak kullanılan çok yönlü bir ince film biriktirme tekniğidir. Bu işlem, gaz halindeki öncüllerin ısıtılmış bir substrat yüzeyi üzerinde kimyasal reak......
Devamını okuSilikon malzeme, belirli yarı iletken elektriksel özelliklere ve fiziksel stabiliteye sahip katı bir malzemedir ve sonraki entegre devre üretim süreci için alt tabaka desteği sağlar. Silikon bazlı entegre devreler için önemli bir malzemedir. Dünyadaki yarı iletken cihazların %95'inden fazlası ve ent......
Devamını okuBu makale, özellikle güneş pili imalatındaki uygulamalarına odaklanarak, yarı iletken endüstrisindeki kuvars teknelerle ilişkili olarak silisyum karbür (SiC) teknelerin kullanımını ve gelecekteki gidişatını ele alıyor.
Devamını oku