- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Haberler
CVD Operasyonlarında Plazma Prosesleri
Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD), çeşitli kısmi basınçlardaki birden fazla gaz halindeki reaktanın, belirli sıcaklık ve basınç koşulları altında kimyasal reaksiyona girdiği bir proses teknolojisini ifade eder. Ortaya çıkan katı madde, substrat malzemesinin yüzeyinde birikir ve böylece istenen ince fi......
Devamını oku
Silisyum Karbür (SiC) Güç Cihazı Pazarının Yükselişi ve Görünümü
Elektrikli araçların küresel kabulü giderek arttıkça, Silisyum Karbür (SiC) önümüzdeki on yılda yeni büyüme fırsatlarıyla karşılaşacak. Otomotiv endüstrisindeki güç yarı iletken üreticilerinin ve operatörlerin bu sektörün değer zincirinin inşasına daha aktif katılmaları öngörülüyor.
Devamını oku
Yarı İletken Üretiminde Silikon Epitaksiyel Katmanlar ve Substratlar
Modern elektronik, optoelektronik, mikroelektronik ve bilgi teknolojisi alanlarında yarı iletken substratlar ve epitaksiyel teknolojiler vazgeçilmezdir. Yüksek performanslı, yüksek güvenilirliğe sahip yarı iletken cihazların üretimi için sağlam bir temel sağlarlar. Teknoloji ilerlemeye devam ettikçe......
Devamını oku
EV endüstrisinde SiC'nin avantajları
Geniş bant aralıklı (WBG) bir yarı iletken malzeme olarak SiC'nin daha geniş enerji farkı, ona geleneksel Si'ye kıyasla daha yüksek termal ve elektronik özellikler kazandırır. Bu özellik, güç cihazlarının daha yüksek sıcaklık, frekans ve voltajlarda çalışmasını sağlar.
Devamını oku
Süblimasyon SiC Büyümesinde Doping Kontrolü
Silisyum karbür (SiC), mükemmel elektriksel ve termal özellikleri nedeniyle güç elektroniği ve yüksek frekanslı cihazların üretiminde önemli bir rol oynar. SiC kristallerinin kalitesi ve doping seviyesi cihazın performansını doğrudan etkiler; bu nedenle dopingin hassas kontrolü, SiC büyüme sürecinde......
Devamını oku
